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BCW31	文件：42.36 Kbytes Page：8 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorsinaplasticSOT23package. PNPcomplements:BCW29andBCW30. FEATURES •Lowcurrent(100mA) •Lowvoltage(32V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCW31	文件：27.72 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeapplicationsatcollectorcurrentsto300mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BCW31	文件：129.18 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ComplementarytoBCW29/30.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BCW31	文件：180.15 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BCW31	文件：39.59 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Transistors ■Features ●Lowcurrent(100mA) ●Lowvoltage(32V). ●PNPcomplements:BCW29andBCW30.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BCW31	文件：119.39 Kbytes Page：6 Pages	NPN general purpose transistors DESCRIPTION NPNtransistorsinaplasticSOT23package. PNPcomplements:BCW29andBCW30. FEATURES •Lowcurrent(100mA) •Lowvoltage(32V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCW31	文件：328.48 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBCW31,manufacturedinthepopularSOT-23SurfaceMountpackage,isanNPNGeneralPurposeSwitchingandAmplificationTransistor,suitableforapplicationsrequiringcollectorcurrentsupto100mA. MARKINGCODE:D1	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BCW31	文件：318.26 Kbytes Page：7 Pages	Marking：D1；Package：SOT23；NPN general purpose transistors FEATURES •Lowcurrent(100mA) •Lowvoltage(32V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification. DESCRIPTION NPNtransistorsinaplasticSOT23package.PNPcomplements:BCW29andBCW30.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCW31	文件：32.5 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS PARTMARKINGDETAILS- BCW29-C1 BCW30-C2 BCW29R-C4 BCW30R-C5 COMPLEMENTARYTYPES- BCW29-BCW31 BCW30-BCW32	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCW31	文件：77.49 Kbytes Page：1 Pages	Low current(100mA) FEATURES Lowcurrent(100mA) Lowvoltage(32V) *Generalpurposeswithchingandamplification	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

晶体管资料

型号：
BCW31(D1)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
微型（Min）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BCW60,BCW71,BCX70,
最大耗散功率：
0.15W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.15

产品属性

产品编号：
BCW31
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 32V 0.5A SOT23-3

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