BCV61C数据手册分立半导体产品的晶体管-特殊用途规格书PDF

厂商型号 |
BCV61C |
参数属性 | BCV61C 封装/外壳为SOT-143R;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途;BCV61C应用范围:电流镜像;产品描述:TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143 |
功能描述 | Transistors for Current Mirror Application |
封装外壳 | SOT-143R |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-16 22:50:00 |
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BCV61C规格书详情
描述 Description
NPN Silicon Double Transistor
特性 Features
· To be used as a current mirror
· Good thermal coupling and VBE matching
· High current gain
· Low collector-emitter saturation voltage
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q102
应用 Application
· For current mirror applications
简介
BCV61C属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由制造生产的BCV61C晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列,带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接,可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途,例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。
技术参数
更多- 制造商编号
:BCV61C
- 生产厂家
:Infineon
- Polarity
:NPN (Dual)
- VCEO max
:30.0V
- Ptot max
:300.0mW
- hFE min max
:420.0 800.0
- IC max
:2.0mA
- IC
:100.0mA
- VCE (max)
:5.0V (5.0V)
- VCBO max
:30.0V
- VEBO max
:6.0V
- ICM max
:200.0mA
- ICBO max
:15.0nA
- fT
:250.0MHz
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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