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BCV61C数据手册分立半导体产品的晶体管-特殊用途规格书PDF

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厂商型号

BCV61C

参数属性

BCV61C 封装/外壳为SOT-143R;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途;BCV61C应用范围:电流镜像;产品描述:TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143

功能描述

Transistors for Current Mirror Application
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143

封装外壳

SOT-143R

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 22:50:00

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BCV61C规格书详情

描述 Description

NPN Silicon Double Transistor

特性 Features

· To be used as a current mirror
· Good thermal coupling and VBE matching
· High current gain
· Low collector-emitter saturation voltage
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q102

应用 Application

· For current mirror applications

简介

BCV61C属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由制造生产的BCV61C晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列,带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接,可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途,例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCV61C

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :NPN (Dual)

  • VCEO max

    :30.0V

  • Ptot max

    :300.0mW

  • hFE min max

    :420.0 800.0

  • IC max

    :2.0mA

  • IC 

    :100.0mA 

  • VCE  (max)

    :5.0V (5.0V)

  • VCBO max

    :30.0V

  • VEBO max

    :6.0V

  • ICM max

    :200.0mA

  • ICBO max

    :15.0nA

  • fT 

    :250.0MHz 

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