BCV61中文资料30V,0.1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书
| 厂商型号 |
BCV61 |
| 参数属性 | BCV61 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途；BCV61应用范围：电流镜像；产品描述：TRANS NPN 30V 100MA DUAL SOT143B |
| 功能描述 | 30V,0.1A,Medium Power NPN Bipolar Transistor |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 制造商 | Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD. |
| 中文名称 | 银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-4 12:00:00 |
| 人工找货 | BCV61价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
BCV61三极管、BCV61晶体管、BCV61晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_TEMP_KOMP
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
300MHZ
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-17
- vtest：
50
- htest：
300000000
- atest：
0.1
- wtest：
0
技术参数
- 制造商编号
：BCV61
- 生产厂家
：Galaxy
- AEC Qualified
：NO
- Pb Free
：YES
- Halide free
：YES
- Reach
：YES
- RoHS
：YES
- Marketing Status
：Active
- Polarity
：NPN
- V(BR)CEO(V)min.
：30
- IC(A)
：0.1
- hFEmin.
：110
- hFEmax.
：800
- VCE (sat)(V)
：0.6
- IB(mA)
：5
- fT(MHz)min.
：100
- PD(W)max.
：0.25
- TJ(°C)max.
：150
- TJ(°C)min.
：-55
- ECCN(US)
：EAR99
- Category
：双极型晶体管
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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