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BCV61	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1M*；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPN double transistor in a SOT143B plastic package. PNP complement: BCV62. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 30 V) • Matched pairs. APPLICATIONS • For use in applications where the working point must be independent of temperature • 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BCV61	文件：49.31 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Double Transistor NPN Silicon Double Transistor • To be used as a current mirror • Good thermal coupling and VBEmatching • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：49.31 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCV61	文件：104.34 Kbytes Page：3 Pages	丝印：3MP；Package：SOT-143；PNP general purpose double transistor ■ Features ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：104.34 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCV61	文件：131.71 Kbytes Page：3 Pages	丝印：1MP；Package：SOT-143；NPN general purpose double transistor ■ Features ● High current gain ● Low collector-emitter saturation voltage 文件：131.71 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BCV61	文件：95.1 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Double Transistors (To be used as a current mirror Good thermal coupling and VBE matching) NPN Silicon Double Transistors Preliminary Data ●To be used as a current mirror ●Good thermal coupling andVBEmatching ●High current gain ●Low emitter-saturation voltage 文件：95.1 Kbytes 页数：5 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BCV61	文件：2.29281 Mbytes Page：13 Pages	丝印：1M；Package：SOT143B；NPN general-purpose double transistors Features * Low current (max. 100 mA) * Low voltage (max. 30 V) * Matched pairs 文件：2.29281 Mbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCV61	文件：801.55 Kbytes Page：14 Pages	PNP general-purpose double transistors Features and benefits * Low current (max. 100 mA) * Low voltage (max. 30 V) * Matched pairs * AEC-Q101 qualified * Small SMD plastic package 文件：801.55 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BCV61	文件：181.56 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon Double Transistor 文件：181.56 Kbytes 页数：7 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCV61A	文件：49.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：1J*；Package：SOT-143；NPN Silicon Double Transistor NPN Silicon Double Transistor • To be used as a current mirror • Good thermal coupling and VBEmatching • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 文件：49.31 Kbytes 页数：5 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BCV61A	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1J-；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPN double transistor in a SOT143B plastic package. PNP complement: BCV62. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 30 V) • Matched pairs. APPLICATIONS • For use in applications where the working point must be independent of temperature • 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

晶体管资料

型号：
BCV61
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_TEMP_KOMP
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
300MHZ
引脚数：
4
可代换的型号：
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-17
vtest：
50
htest：
300000000
atest：
0.1
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT143B
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
Polarity：
NPN
VCEO [max] (V)：
30
IC [max] (mA)：
100
hFE [min]：
110
hFE [max]：
800

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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