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BCV61A	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	丝印：1J-；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPN double transistor in a SOT143B plastic package. PNP complement: BCV62. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 30 V) • Matched pairs. APPLICATIONS • For use in applications where the working point must be independent of temperature • 文件：50.94 Kbytes 页数：8 Pages	PHI 飞利浦	PHI
BCV61A	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	丝印：1J-；Package：SOT-143B；Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI

详细参数

型号：
1J-
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多1J-供应商更新时间2025-10-17 14:16:00

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