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1J-	文件：50.94 Kbytes Page：8 Pages	型号：BCV61A；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor DESCRIPTION NPNdoubletransistorinaSOT143Bplasticpackage. PNPcomplement:BCV62. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V) •Matchedpairs. APPLICATIONS •Foruseinapplicationswheretheworkingpointmustbeindependentoftemperature •	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
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型号：BCV61A；Package：SOT-143B；NPN general purpose double transistor

DESCRIPTION NPNdoubletransistorinaSOT143Bplasticpackage. PNPcomplement:BCV62. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V) •Matchedpairs. APPLICATIONS •Foruseinapplicationswheretheworkingpointmustbeindependentoftemperature •

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

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型号：BCV61A；Package：SOT-143B；Low VCEsat (BISS) transistors

PHIPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHI

详细参数

型号：
1J-
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 30V 100mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多1J-供应商更新时间2025-8-4 14:16:00

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