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BCV46	文件：43.89 Kbytes Page：8 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.60V) •VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Whereveryhighamplificationisrequired.	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BCV46	文件：49.51 Kbytes Page：1 Pages	PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPE-BCV26-BCV27 BCV46-BCV47	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCV46	文件：141.95 Kbytes Page：4 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors (For general AF applications High collector current) PNPSiliconDarlingtonTransistors ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCV46	文件：169.45 Kbytes Page：2 Pages	Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BCV46	文件：49.55 Kbytes Page：5 Pages	PNP Silicon Darlington Transistors PNPSiliconDarlingtonTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Complementarytypes:BCV27,BCV47(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCV46	文件：130.229 Kbytes Page：2 Pages	PNP Darlington Transistors PNPDarlingtonTransistors forpreamplifierinputapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BCV46	文件：318.76 Kbytes Page：8 Pages	丝印：FE；Package：SOT23；PNP Darlington transistors FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.60V) •VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Whereveryhighamplificationisrequired. DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage.NPNcomplements:BCV27andBCV47.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCV46	文件：51.22 Kbytes Page：1 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTORS FEATURES *Lowsaturationvoltage COMPLEMENTARYTYPEBCV26-BCV27 BCV46-BCV47 PARTMARKINGDETAILSBCV26-ZFD BCV46-ZFE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCV46	文件：216.23 Kbytes Page：5 Pages	60V PNP DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT23 Features •BVCEO>-60V •DarlingtonTransistorhFE>10k@100mAforhighgain •IC=-500mAHighContinuousCollectorCurrent •ComplementaryDarlingtonPNPType:BCV47 •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCV46	文件：122.64 Kbytes Page：7 Pages	PNP Darlington transistors DESCRIPTION PNPDarlingtontransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BCV27andBCV47. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.60V) •VeryhighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Whereveryhighamplificationisrequired.	ETC	ETC

技术参数

Package name：
SOT23
Size (mm)：
2.9 x 1.3 x 1
hFE [min]：
10000
fT [min] (MHz)：
220
Polarity：
PNP
IC [max] (mA)：
500
VCES [max] (V)：
60
Ptot [max] (mW)：
250
Complement：
BCV47
hFE [max]：
>10000
Automotive qualified：
N

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