| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
光电二极管 | TDK 东电化 | TDK | ||
Visible Radiant Optical Sensor 文件：150.7 Kbytes 页数：5 Pages | TDK 东电化 | TDK | ||
Package：2012（5030 公制）；包装：散装 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM 2012 | TDK 东电化 | TDK | ||
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 文件：585.3 Kbytes 页数：13 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 文件：585.3 Kbytes 页数：13 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • Designed for input stages of UHF- and VHF-tuners with AGC function • Supporting 5 V operations and power saving 3 V operations • Integrated ESD gate protection diodes • Very low noise figure • High gain, high forward transadmittance • Very good cross modula 文件：168.46 Kbytes 页数：10 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
BCS5030G1
- 制造商：
TDK Corporation
- 类别：
传感器，变送器 > 光学传感器 - 光电二极管
- 包装：
散装
- 波长：
580nm
- 频谱范围：
350nm ~ 750nm
- 电流 - 暗（典型值）：
100pA
- 有效面积：
1.5mm²
- 工作温度：
-20°C ~ 85°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
2012（5030 公制）
- 描述：
SENSOR PHOTODIODE 580NM 2012
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK/东电化 |
24+ |
SMD |
31512 |
TDK原厂直供,全系列可订货。美金交易,大陆交货。 |
询价 | ||
SEOUL VIOSYS/首尔伟奥世 |
25+ |
SMD |
12000 |
一级代理原装现货 |
询价 | ||
24+ |
18000 |
询价 | |||||
TDK |
23+ |
SMD |
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TDK/东电化 |
2013+ |
SMD |
6000 |
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TDK/东电化 |
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SMD |
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TDK |
25+ |
传感器 |
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TDK/东电化 |
21+ |
SMD |
6000 |
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TDK/东电化 |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TDK |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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