首页>BF5030W>规格书详情

BF5030W分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BF5030W
厂商型号

BF5030W

参数属性

BF5030W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 8V 800MHZ SOT343

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
FET RF 8V 800MHZ SOT343

文件大小

168.46 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-6-20 23:00:00

BF5030W规格书详情

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

• Designed for input stages of UHF- and VHF-tuners with AGC function

• Supporting 5 V operations and power saving 3 V operations

• Integrated ESD gate protection diodes

• Very low noise figure

• High gain, high forward transadmittance

• Very good cross modulation at gain reduction

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BF5030W属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的BF5030W晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BF5030WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    800MHz

  • 增益:

    24dB

  • 额定电流(安培):

    25mA

  • 噪声系数:

    1.3dB

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-4-1

  • 描述:

    FET RF 8V 800MHZ SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
17048
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
询价
Infineon(英飞凌)
23+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
INFINEO
2020+
SOT-343
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
INFINEON
2022+
SOT343
57550
询价
原厂品牌
2020+
SO-23
985000
公司100%原装现货,价格优势特价热卖,量大可订。
询价
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
INFINEON
21+
SOT343
500
原装现货假一赔十
询价
INFINEON/英飞凌
17+
FET
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
INFINEON
2008++
SOT-343SOT-323-4
6260
新进库存/原装
询价
Infineon(英飞凌)
23+
N/A
589610
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理!
询价