BF5030W分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
![BF5030W](https://img.114ic.com/dgk/Renders/~~Pkg.Case%20or%20Series/SOT-343%20PKG.jpg)
厂商型号 |
BF5030W |
参数属性 | BF5030W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 8V 800MHZ SOT343 |
功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
文件大小 |
168.46 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
Infineon【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-20 23:00:00 |
BF5030W规格书详情
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
• Designed for input stages of UHF- and VHF-tuners with AGC function
• Supporting 5 V operations and power saving 3 V operations
• Integrated ESD gate protection diodes
• Very low noise figure
• High gain, high forward transadmittance
• Very good cross modulation at gain reduction
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualified according AEC Q101
BF5030W属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的BF5030W晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号:
BF5030WH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
N 通道
- 频率:
800MHz
- 增益:
24dB
- 额定电流(安培):
25mA
- 噪声系数:
1.3dB
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
PG-SOT343-4-1
- 描述:
FET RF 8V 800MHZ SOT343
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
17048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
INFINEO |
2020+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON |
2022+ |
SOT343 |
57550 |
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原厂品牌 |
2020+ |
SO-23 |
985000 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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INFINEON |
21+ |
SOT343 |
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INFINEON/英飞凌 |
17+ |
FET |
880000 |
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INFINEON |
2008++ |
SOT-343SOT-323-4 |
6260 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
589610 |
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