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BF5020W分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BF5020W
厂商型号

BF5020W

参数属性

BF5020W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSFET N-CH 8V 25MA SOT343

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT343

文件大小

573.14 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 14:36:00

BF5020W规格书详情

Silicon N-Channel MOSFET Tetrode

• Low noise gain controlled input stages of UHF- and VHF - tuners with 3 V up to 5 V supply voltage

• Integrated gate protection diodes

• Excellent noise figure

• High gain, high forward transadmittance

• Improved cross modulation at gain reduction

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BF5020W属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。英飞凌科技公司制造生产的BF5020W晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BF5020WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 频率:

    800MHz

  • 增益:

    26dB

  • 额定电流(安培):

    25mA

  • 噪声系数:

    1.2dB

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-3D

  • 描述:

    MOSFET N-CH 8V 25MA SOT343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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