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BCR183S

AF 数字晶体管

PNP硅数字晶体管 • 开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路\n• BCR183S / U:两个内部隔离的晶体管,在一个多芯片封装中具有良好的匹配性\n• 无铅(符合 RoHS 标准)封装 1)\n• 符合 AEC Q101 要求;

Infineon

英飞凌

BCR183W

Digital Transistor

Infineon

英飞凌

BCR183E6359HTMA1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP SOT23

INFINEON

英飞凌

BCR183E6433HTMA1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

INFINEON

英飞凌

BCR183WE6327HTSA1

Package:SC-70,SOT-323;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

INFINEON

英飞凌

晶体管资料

  • 型号:

    BCR183

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.1A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    DTA114EK,KSR2102,RN2402,UN2114,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0

技术参数

  • hFEmin:

    30

  • ICBOmax:

    100 nA

  • Ptotmax:

    200 mW

  • R1 / R2:

    1

  • R1:

    10 kΩ

  • R2:

    10 kΩ

  • VCBOmax:

    50 V

  • VCE(sat)max:

    0.3 V

  • VCEOmax:

    50 V

  • VEBOmax:

    10 V

  • Vi (off) max:

    1.5 100µA / 5V

  • Vi (on)max:

    1.5 V

  • Vi (on)min:

    1 2mA / 0.3V

  • Mounting:

    SMT

  • Polarity:

    PNP (Single)

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Infineon(英飞凌)
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更多BCR183供应商 更新时间2026-1-17 13:16:00