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BCR12中文资料MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE/ PLANAR PASSIVATION TYPE数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

BCR12

参数属性

BCR12 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

功能描述

MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE/ PLANAR PASSIVATION TYPE

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:58:00

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技术参数

  • 产品编号:

    BCR129WE6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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