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BCR12	文件：91.86 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社
BCR12	文件：300 bytes Page：1 Pages	MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE/ PLANAR PASSIVATION TYPE	MITSUBISHIMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社
BCR129	文件：490.11 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BCR129F	文件：490.11 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BCR129L3	文件：490.11 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BCR129S	文件：42.74 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPNSiliconDigitalTransistorArray Preliminarydata •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonepackage •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCR129S	文件：490.11 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BCR129T	文件：490.11 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BCR129W	文件：490.11 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=10kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internalisolatedtransistorswithgoodmatchinginonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
BCR12AM-10	文件：268.79 Kbytes Page：3 Pages	isc Triacs FEATURES ·SuitableforgeneralpurposeACswitching.Whichcanbeused asanON/OFFfunctioninapplicationssuchasstaticrelays,heating regulation,inductionmotorstartingcircuits.Orforphasecontrol operationinlightdimmers,motorspeedcontrollersetc APPLICATIONS ·ContactlessA	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

技术参数

Polarity ：
NPN (Single)
R1 ：
10.0kΩ
R2 ：
0.0kΩ
hFE min max：
120.0 630.0
Vi (on) max：
1.0V
Vi (on) min：
0.52mA / 0.3V
Vi (off) max：
1.0100µA / 5V
VCEO max：
50.0V
VCBO max：
50.0V
VEBO max：
5.0V
Ptot max：
200.0mW
ICBO max：
100.0nA
fT ：
150.0MHz
VCE(sat) max：
0.3V
Mounting ：
SMT

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