BCR116数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF

描述 Description

NPN Silicon Digital Transistor

特性 Features

·Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit
·Built in bias resistor (R1=4.7 kΩ, R2=47 kΩ)
·BCR116S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package
·BCR116S: For orientation in reel see package information below
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101

简介

BCR116属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BCR116晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。