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BCR108	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR108S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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BCR108F	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108L3	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108L3	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108S	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108S	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108S	文件：43.94 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPNSiliconDigitalTransistorArray •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Two(galvanic)internalisolatedTransistorsinonpackage •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCR108S	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR108S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108SH6327	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR108S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108T	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108T	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108TE6327	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108W	文件：34.85 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit) NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCR108W	文件：491.12 Kbytes Page：10 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108W	文件：216.55 Kbytes Page：9 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •For6-PINpackages:two(galvanic)internal isolatedtransistorswithgoodmatching inonepackage	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR108W	文件：211.61 Kbytes Page：12 Pages	NPN Silicon Digital Transistor NPNSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit, drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=47kΩ) •BCR108S:Twointernallyisolated transistorswithgoodmatching inonemultichippackage •BCR108S:Fororientationinreelsee packa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCR10CM	文件：94.07 Kbytes Page：5 Pages	MEDIUM POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE •IT(RMS)......................................................................10A •VDRM..............................................................400V/600V •IFGTI,IRGTI,IRGTIII.........................30mA(20mA)✽5 APPLICATION ContactlessACswitches,lightdrimmer,electric	MitsubishiMITSUBISHI electlic 三菱电机	Mitsubishi
BCR10CM	文件：80.46 Kbytes Page：6 Pages	Triac 10 Amperes/400-600 Volts Description: AtriacisasolidstatesiliconACswitchwhichmaybegatetriggeredfromanoff-statetoanon-stateforeitherpolarityofappliedvoltage. Features: □GlassPassivation □ExcellentSurgeCapability □SelectedforInductiveLoads Applications: □ACSwitch	POWEREX POWEREX	POWEREX

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晶体管资料

型号：
BCR
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
100MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SB1188,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
100000000
atest：
2
wtest：
0

详细参数

型号：
BCR
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Thin Film, Back-Contact Resistor

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