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BCP69-16/DG	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16/IN	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16-AA3-B-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69-16-AA3-C-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69-16-AA3-E-R	文件：79.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER ■ DESCRIPTION The UTC BC817 is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2A. 文件：79.57 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
BCP69-16-Q	文件：261.45 Kbytes Page：13 Pages	丝印：BCP69/16；Package：SOT223；20 V, 2 A PNP medium power transistors 1. General description PNP medium power transistors in a SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits • High current • Three current gain selections • High power dissipation capability • Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in au 文件：261.45 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69-16SLASHDG	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16SLASHIN	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20 V, 1 A PNP medium power transistor General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：94.93 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
BCP69-16/ZLF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A SOT223	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69-16/ZLX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 20V 2A SOT223	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
SC-73
Size (mm)：
6.5 x 3.5 x 1.65
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
650
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (mA)：
-2000
hFE [min]：
50
hFE [max]：
250
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
40
Automotive qualified：
Y

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深圳市坤融电子科技有限公司	BCP69-16	恩XP	24+	SOT223	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
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