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BCX56-10	文件：199.54 Kbytes Page：3 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor FEATURES •Highcurrent •Lowvoltage •Mediumpowergeneralpurposes •Driverstagesofaudioamplifiers.	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BCX56-10	文件：53.61 Kbytes Page：2 Pages	NPNMediumPowerTransistors Features ●Highcurrent(max.1A). ●Lowvoltage(max.80V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BCX56-10-BK	文件：17.4 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS SOT89NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCX56-10-Q	文件：239.72 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNmediumpowertransistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage 2.Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Qualifiedaccordingt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-10T	文件：239.42 Kbytes Page：12 Pages	80V,1ANPNpowerbipolartransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX56-10T	文件：238.53 Kbytes Page：12 Pages	80V,1APNPpowerbipolartransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
LDMT-56-10	文件：56.69 Kbytes Page：2 Pages	MountingTube	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
LDMT-56-10-LT	文件：57.29 Kbytes Page：2 Pages	MountingTube	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
PDT-56-10	文件：625.92 Kbytes Page：2 Pages	TheCompactPowerTransformer	WABASH Wabash Transformer Inc.	WABASH
PST-56-10	文件：625.92 Kbytes Page：2 Pages	TheCompactPowerTransformer	WABASH Wabash Transformer Inc.	WABASH

产品属性

产品编号：
BCP56-10T-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101, BCP56T-Q
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
155MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCP56-10T-QX供应商更新时间2025-7-29 15:26:00

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