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BCP53H分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BCP53H
厂商型号

BCP53H

参数属性

BCP53H 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223

功能描述

80 V, 1 A PNP medium power transistors

丝印标识

BCP53H

封装外壳

SC-73 / TO-261-4,TO-261AA

文件大小

1.27242 Mbytes

页面数量

16

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-4 9:36:00

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BCP53H规格书详情

General description

PNP medium power transistors in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Features and benefits

■ High collector current capability IC and ICM

■ Three current gain selections

■ High power dissipation capability

■ High-temperature applications up to 175 °C

■ AEC-Q101 qualified

Applications

■ Linear voltage regulators

■ MOSFET drivers

■ High-side switches

■ Power management

■ Amplifiers

产品属性

  • 产品编号:

    BCP53HX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    63 @ 150mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 80V 1A SOT223

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