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BCP5316QTA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BCP5316QTA |
参数属性 | BCP5316QTA 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T |
功能描述 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223 |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
文件大小 |
116.75 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | DIODES |
中文名称 | 美台半导体 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
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BCP5316QTA规格书详情
特性 Features
• BVCEO > -45V, -60V & -80V
• IC = -1A High Continuous Collector Current
• ICM = -2A Peak Pulse Current
• 2W Power Dissipation
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -500mV @ -0.5A
• Gain Groups 10 and 16
• Complementary NPN Types: BCP54, 55 and 56
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)
Applications
• Medium Power Switching or Amplification Applications
• AF Driver and Output Stages
产品属性
- 产品编号:
BCP5316QTA
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223-3
- 描述:
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
12663 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT-223 |
2000 |
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DIODES/美台 |
25+ |
SOT223 |
32000 |
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DIODES |
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TSSOP |
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DIODES INC. |
23+ |
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Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT223 |
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DIODES(美台) |
24+ |
SOT-223-4 |
8498 |
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DIODES |
24+ |
SOT223 |
9000 |
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询价 |