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BCP5316TC中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

BCP5316TC
厂商型号

BCP5316TC

功能描述

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS IN SOT223

文件大小

116.75 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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BCP5316TC规格书详情

特性 Features

• BVCEO > -45V, -60V & -80V

• IC = -1A High Continuous Collector Current

• ICM = -2A Peak Pulse Current

• 2W Power Dissipation

• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -500mV @ -0.5A

• Gain Groups 10 and 16

• Complementary NPN Types: BCP54, 55 and 56

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

Applications

• Medium Power Switching or Amplification Applications

• AF Driver and Output Stages

产品属性

  • 型号:

    BCP5316TC

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP Medium Power

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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