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BCP5316Q中文资料Bipolar Transistor Automotive ‘Q‘ Portfolio数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BCP5316Q

参数属性

BCP5316Q 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

功能描述

Bipolar Transistor Automotive ‘Q‘ Portfolio
PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 10:59:00

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BCP5316Q规格书详情

应用 Application

Medium Power Switching or Amplification Applications 
\t
\t\tAF Driver and Output Stages 


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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

BCP5316Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCP5316Q晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BCP5316Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :PNP

  • IC

    :1 A

  • ICM

    :2 A

  • PD

    :2 W

  • hFE

    :100 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.15 A

  • hFE (Min 2)

    :25

  • hFE (@ IC2)

    :0.5 A

  • VCE (SAT) Max

    :500 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.5/50

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :N/A mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :-

  • fT

    :150 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT223

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