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BCP5310H6327XTSA1中文资料双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BCP5310H6327XTSA1 |
| 参数属性 | BCP5310H6327XTSA1 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 1A SOT223-4 |
| 功能描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-18 20:00:00 |
| 人工找货 | BCP5310H6327XTSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BCP5310H6327XTSA1规格书详情
简介
BCP5310H6327XTSA1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由Infineon制造生产的BCP5310H6327XTSA1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
BCP5310H6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
63 @ 150mA，2V
- 频率 - 跃迁：
125MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
PG-SOT223-4-10
- 描述：
TRANS PNP 80V 1A SOT223-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
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Nexperia/安世 |
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SOT-223 |
20000 |
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Nexperia(安世) |
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Nexperia/安世 |
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ON |
24+ |
SOT-223 |
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