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BCP5316H6433XTMA1中文资料双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
BCP5316H6433XTMA1 |
参数属性 | BCP5316H6433XTMA1 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 1A SOT223-4 |
功能描述 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-27 10:59:00 |
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BCP5316H6433XTMA1规格书详情
简介
BCP5316H6433XTMA1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BCP5316H6433XTMA1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
BCP5316H6433XTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
500mV @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
125MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
PG-SOT223-4-10
- 描述:
TRANS PNP 80V 1A SOT223-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-223 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
MCC/美微科 |
2511 |
SOT-223 |
360000 |
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询价 | ||
Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT223 |
10990 |
原装正品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-223 |
9600 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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询价 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
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询价 | |||
Infineon Technologies |
25+ |
30000 |
原装现货,支持实单 |
询价 | |||
MSKSEMI(美森科) |
23+ |
SOT-223-3 |
1040 |
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT) |
询价 |