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BD238	文件：43.17 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD238	文件：103.54 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD238	文件：908.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD237. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD238	文件：191.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=-0.15A •ComplementtoTypeBD233/235/237 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD238	文件：109.04 Kbytes Page：3 Pages	-80V,PNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD238isaPNPepitaxialplanartransistor,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighDCcurrentgainandhighcollector-emitterbreakdownvoltage,etc. FEATURES HighDCcurrentgain Highcollector-emitterbreakdownvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD238	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD238	文件：138.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A •ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD238	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BD238	文件：1.9422 Mbytes Page：14 Pages	GERMANIOVETRANZISTORY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BD238G	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
BCL-238-WP
制造商：
MOLEX
制造商全称：
Molex Electronics Ltd.
功能描述：
Compression Style Ring Tongue Terminal for 2 AWG Wire, Stud Size 3/8, Un-Plated,Wide Pad

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BCL-238-WP供应商更新时间2025-7-21 15:20:00

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