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BC817-40	文件：419.14 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Complementarytypes:BC807(PNP)	OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd 奥力特电子奥力特电子科技有限公司	OLITECH
BC817-40	文件：606.45 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC817-40	文件：225.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPTTAXIALSILICONTRANSISTOR NPNEPTTAXIALSILICONTRANSISTOR SURFACEMOUNTSMALL SIGANLTRANSISTORS	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
BC817-40	文件：71.22 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS SMALLSIGNALNPNTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTORS ■MINIATURESOT-23PLASTICPACKAGEFORSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■TAPEANDREELPACKING ■THEPNPCOMPLEMENTARYTYPESAREBC807-25ANDBC817-40RESPECTIVELY APPLICATIONS ■WELLSUITABLEFORPORTABLEEQUIPMENT ■SMALLL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BC817-40	文件：629.79 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors •Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC817-40	文件：326.89 Kbytes Page：3 Pages	NPNSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC807) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC817-40	文件：311.1 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807(PNP)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC817-40	文件：47.28 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:BC807. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC817-40	文件：864.72 Kbytes Page：11 Pages	NPNSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC807,BC808(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC817-40	文件：405.66 Kbytes Page：4 Pages	Surfacemountswitchingdiode Features •ForgeneralAFapplication. •ComplementaryPNPtypeavailableBC807. •Highcollectorcurrent,highcurrentgain. •Lowcollector-emittersaturationvoltage. •RoHScompliantpackage Applications •Generalpurposemediumpoweramplifier. •Switchingrequiringcollectorcurrents	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH

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