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BC869-16	文件：177.41 Kbytes Page：11 Pages	PNP medium power transistor; 20 V, 1 A General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：177.41 Kbytes 页数：11 Pages	恩XP	恩XP
BC869-16	文件：42.82 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistor DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complement: BC868. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Low voltage, high current LF applications. 文件：42.82 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC869-16	文件：199.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors Features • High current (max. 1.0A) • Low voltage (max. 20V) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix -HF 文件：199.62 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BC869-25	文件：199.62 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors Features • High current (max. 1.0A) • Low voltage (max. 20V) • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Halogen free available upon request by adding suffix -HF 文件：199.62 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BC869-25	文件：42.82 Kbytes Page：8 Pages	PNP medium power transistor DESCRIPTION PNP medium power transistor in a SOT89 plastic package. NPN complement: BC868. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • Low voltage, high current LF applications. 文件：42.82 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC869-25	文件：177.41 Kbytes Page：11 Pages	PNP medium power transistor; 20 V, 1 A General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：177.41 Kbytes 页数：11 Pages	恩XP	恩XP
BC869-25	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	丝印：CHC；Package：SC-62；20 V, 2 A PNP medium power transistors Features and benefits  High current  Three current gain selections  High power dissipation capability  Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)  Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)  AEC-Q101 qualified 文件：1.11315 Mbytes 页数：24 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BC869-25	文件：266.58 Kbytes Page：24 Pages	20 V, 2 A PNP medium power transistors General description PNP medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. Features and benefits ■ High current ■ Three current gain selections ■ High power dissipation capability ■ Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT10 文件：266.58 Kbytes 页数：24 Pages	恩XP	恩XP
BC869_13	文件：253.71 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors 文件：253.71 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
BC869-16	文件：253.71 Kbytes Page：2 Pages	PNP Medium Power Transistors 文件：253.71 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC

晶体管资料

型号：
BC869
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
表面帖装型（SMD）_低频或音频放大（LF）_TR
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
25V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
60MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BCX51,BCX52,BCX69,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
25
htest：
60000000
atest：
1
wtest：
0

技术参数

Package name：
SOT89
Size (mm)：
4.5 x 2.5 x 1.5
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
500
VCEO [max] (V)：
-20
IC [max] (mA)：
-2000
hFE [min]：
50
hFE [max]：
375
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
40
Automotive qualified：
Y

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