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BC859C	文件：145.27 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC859C	文件：540.59 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC859C	文件：355.55 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC859CL	文件：830.81 Kbytes Page：9 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSPNPSILICON DESCRIPTION The BC856857858859ALBL/CLareavailablein SOT23package FEATURES ⚫MoistureSensitivityLevel:1 ⚫ESDRatingHumanBodyModel:>4000V MachineModel:>400 V ⚫AvailableinSOT23package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC859CMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC859CW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC859CW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC859CW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC859CW	文件：50.33 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●ComplementstoBC849WandBC850W.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC859CW	文件：46.38 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT323plasticpackage. NPNcomplements:BC849WandBC850W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
BC859BW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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