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BC858C	文件：263.98 Kbytes Page：3 Pages	BC856A FEATURES ●GeneralPurposeTransistorPNPType ●Collectcurrent:-0.1A ●OperatingTemp.:-55°C~+150°C ●RoHScompliantproduct	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC858C	文件：201.1 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC858C	文件：1.33965 Mbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BC858C	文件：331.07 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC858C	文件：363.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC858C	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858C	文件：69.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistor Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC858C	文件：727.32 Kbytes Page：2 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC858C	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858C	文件：852.79 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd 奥力特电子奥力特电子科技有限公司	OLITECH

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产品属性

产品编号：
BC858BW-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2.2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT323

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更多BC858BW-G供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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