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BC858C	文件：331.07 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC858C	文件：363.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC858C	文件：887.44 Kbytes Page：14 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858C	文件：69.08 Kbytes Page：3 Pages	PNPTransistor Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC858C	文件：727.32 Kbytes Page：2 Pages	Ideallysuitedforautomaticinsertion TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BC858C	文件：866.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30hzand15kHz •Complementarytypes: BC847...-BC850...(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC858C	文件：852.79 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd 奥力特电子奥力特电子科技有限公司	OLITECH
BC858C	文件：683.91 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistors ■Features ●Ideallysuitedforautomaticinsertion ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
BC858C	文件：922.79 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating –HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V •Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements.	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC858C	文件：341.8 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
BC858B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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