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BC858AW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC858B	文件：186.97 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagin	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC858B	文件：106.98 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW Features ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ●MoisureSensitivityLevel1 ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●150°CJunctionTemperature ●ForSwitchingandAFAmplifierAppli	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC858B	文件：44.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ComplementaryNPNTypes:BC846–BC848 ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC858B	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC858B	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC858B	文件：167.03 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor PNPGeneralPurposeTransistor Features 1)BVCEO	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BC858B	文件：363.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC858B	文件：44.9 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALPNPTRANSISTORS SMALLSIGNALPNPTRANSISTORS ■SILICONEPITAXIALPLANARPNPTRANSISTORS ■MINIATUREPLASTICPACKAGEFORAPPLICATIONINSURFACEMOUNTINGCIRCUITS ■VERYLOWNOISEAFAMPLIFIER ■NPNCOMPLEMENTSFORBC857ISBC847	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BC858B	文件：116.26 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORBC856,BC857andBC858SeriestypesarePNPSiliconTransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. MARKINGCODE:PLEASESEEMARKINGCODET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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产品属性

产品编号：
BC858A-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2.2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC858A-HF供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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