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BC857CW	文件：125.69 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857CW	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC857CW	文件：233.44 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CW	文件：236.73 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CWG	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC857CW-G	文件：151.3 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Ideallysuitedforautomaticinsertion -ForSwitchingandAFAmplifierApplications -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:-0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC856W=-80V BC857W=-50V BC858W=-30V -Operatingand	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC857CWQ	文件：334.95 Kbytes Page：6 Pages	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT323 Features BVCEO>-45V IC=-100mAHighCollectorCurrent IdeallySuitedforAutomaticInsertion ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847CWQ) ForSwitchingandAFAmplifierApplications TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Halogen-andAntimony-Free.GreenDev	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857CW-Q	文件：223.53 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857CW-Q	文件：229.32 Kbytes Page：13 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistors 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorsinaverysmallSOT323(SC-70),Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement BC856W-QBC846W-Q BC856AW-QBC846AW-Q BC856BW-QBC846BW-Q BC857W-QBC847W-Q BC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857F	文件：40.8 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorencapsulatedinanultrasmallSC-89(SOT490)plasticSMDpackage. NPNcomplements:BC846F,BC847FandBC848Fseries. FEATURES •PowerdissipationcomparabletoSOT23 •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitching	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
BC857CQB-QZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1110D-3
描述：
SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

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