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BC857CDW1T1G

Dual General Purpose Transistors

Dual General Purpose Transistors PNP Duals These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT−363/SC−88 which is designed for low power surface mount applications. Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compli

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ONSEMI

安森美半导体

BC857CDW1T1G

Dual General Purpose Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

BC857CDW1T1G

Dual General Purpose Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

LBC857CDW1T1

Dual General Purpose Transistors

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LRC

乐山无线电

LBC857CDW1T1G

Dual General Purpose Transistors

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LRC

乐山无线电

LBC857CDW1T1G

S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

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LEIDITECH

雷卯电子

详细参数

  • 型号:

    BC857CDW1T1G

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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SOT-323-6
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更多BC857CDW1T1G供应商 更新时间2026-2-4 16:11:00