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BC857CLT1G

General Purpose Transistors

文件:154.41 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC857CLT3G

General Purpose Transistors

文件:154.41 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

BC857CMB

丝印:01000110;Package:SOT883B;45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

文件:1.1278 Mbytes 页数:14 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BC857CQA

丝印:010001;Package:DFN1010D-3;45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

文件:1.37543 Mbytes 页数:15 Pages

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BC857CRF

250mW, PNP Small Signal Transistor

文件:265.41 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

BC857CRFG

250mW, PNP Small Signal Transistor

文件:265.41 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

BC857CT

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:344.49 Kbytes 页数:3 Pages

MCC

BC857CT

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:353.66 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

BC857CT

SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR

文件:350.66 Kbytes 页数:2 Pages

Central

BC857CT

PNP Transistors

文件:738.81 Kbytes 页数:1 Pages

KEXIN

科信电子

产品属性

  • 产品编号:

    BC857C

  • 制造商:

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
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TO23
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更多BC857C供应商 更新时间2025-10-6 10:23:00