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BC857BV	文件：828.8 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●EpitaxialDieConstruction ●ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847BV) ●Ultra-SmallSurfaceMountPackage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC857BV	文件：190.47 Kbytes Page：8 Pages	45V,100mAPNPgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6mmx1.2mmx0.55mmultrathinpackage •ReducesnumberofcomponentsasreplacementoftwoSC-75/SC-89packagedBISS transistors •Reducesrequiredboardspace •Reducespickandplacecosts	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BV	文件：2.39367 Mbytes Page：15 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BV-TP	文件：109.8 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryNPNType	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC857BW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857BW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857BW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857BW	文件：544.42 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC857BW	文件：367.19 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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