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BC857BS	文件：454.8 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
BC857BS	文件：613.99 Kbytes Page：5 Pages	DualPNPSmallSignalTransistor Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating ●SurfacemountpackageideallySuitedforAutomaticInsertion ●PNP MechanicalData ●Package:SOT-363 ●Terminals:Tinplatedleads,solderableperJ-STD-002andJESD22-B102 ●Marking:3F	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC857BS	文件：229.41 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description DualPNPSurfaceMountSmallSignalTransistor	DCCOM Dc Components	DCCOM
BC857BS	文件：1.02371 Mbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC857BS	文件：236.72 Kbytes Page：12 Pages	nullPNPgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BS	文件：2.39367 Mbytes Page：15 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BSG	文件：1.02371 Mbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BC857BSH	文件：230.92 Kbytes Page：1 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BSH-Q	文件：235.86 Kbytes Page：10 Pages	45V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BS-Q	文件：238.91 Kbytes Page：12 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC857BQB-QZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：
3-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
DFN1110D-3
描述：
SMALL SIGNAL BIPOLAR IN DFN PACK

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更多BC857BQB-QZ供应商更新时间2025-7-26 10:06:00

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