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BC857BT	文件：55.58 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC847...T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857BT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857BT	文件：353.66 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857BT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC857BT	文件：52.17 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-45V •IC=-100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:BC847AT,BT,CT •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857BT	文件：286.68 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpitaxialDieConstruction •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSen	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BT	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC857BT	文件：344.49 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857BT	文件：738.81 Kbytes Page：1 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC857BT	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
BC857BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC857BMTF供应商更新时间2025-7-21 9:46:00

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