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BC857BM	文件：84.89 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplements:BC856,BC857andBC858. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857BM	文件：83.49 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPgeneralpurposetransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. NPNcomplement:BC847Mseries. FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •Generalpu	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857BM	文件：362.91 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •GeneralpurposesmallsignalDC •LowandmediumfrequencyACapplications •Mobilecommunications,digital(still)cameras,PDAs,PCMCIAcar	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BM	文件：228.51 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BM	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Leadlessultrasmallplasticpackage(1mm×0.6mm×0.5mm) •Boardspace1.3×0.9mm •PowerdissipationcomparabletoSOT23.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BMB	文件：1.1278 Mbytes Page：14 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BMB	文件：1.00773 Mbytes Page：14 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BMB	文件：1.12679 Mbytes Page：14 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits LeadlessultrasmallSMDplastic package PowerdissipationcomparabletoSOT23 Lowpackageheightof0.37mm AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857BMTF	文件：150.03 Kbytes Page：5 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC857BQ	文件：275.86 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier Features ●EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityratingandhalogenfree ●MoistureSensitivityLevel1 ●HighConductance ●Partno.withsuffix“Q”meansAEC-Q101qualified Applications ●Generalpurposeswitchingandamplification	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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