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BC857ARFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW, PNP Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC857AT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC857AT	文件：353.66 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AT	文件：153.92 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC857AT	文件：109.69 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialDieConstruction •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC847AT,BT,CT) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4and5)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AT	文件：286.68 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpitaxialDieConstruction •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSen	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857AT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC857AT	文件：52.17 Kbytes Page：2 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-45V •IC=-100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:BC847AT,BT,CT •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
BC857AT	文件：55.58 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC847...T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857AT	文件：168.37 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	BC857ARFG	Taiwan Semiconductor Corporati	2022+	SOT-23	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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