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BC857AT

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

Features •BVCEO>-45V •IC=-100mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryNPNType:BC847AT,BT,CT •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

BC857AT

PNPSiliconAFTransistor

PNPSiliconAFTransistor ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC847...T

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BC857AT

PNPGeneralPurposeTransistor

FEATURES ●Lowcurrent(max.100mA). ●Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyInportableequipment.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

BC857AT

PNPTransistors

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

BC857AT

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

BC857AT

PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

BC857AT

PNPgeneralpurposetransistors

FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BC857AT

PNPgeneralpurposetransistors

FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyinportableequipment. DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75(SOT416)plasticpackage.NPNcomplements:BC846T;BC847Tseries.

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BC857A-TP

PNPSmallSignalTransistor310mW

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

BC857AW

PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR

Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BC857A-HF

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 2.2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
COMCHIP
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更多BC857A-HF供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00