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BC857XQB-Q_SER	文件：245.2 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857XQC-Q_SER	文件：248.33 Kbytes Page：13 Pages	45V,100mAPNPgeneral-purposetransistor 1.Generaldescription PNPgeneral-purposetransistorinanultrasmallDFN1412D-3(SOT8009)leadlessSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEDEC NPNcomplement: BC857AQC-QBC847AQC-Q BC857BQC-QBC847	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM857BS	文件：47.13 Kbytes Page：8 Pages	PNPmatcheddoubletransistor Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM857BS	文件：115.93 Kbytes Page：15 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistors Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM857BS	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM857BS	文件：2.39367 Mbytes Page：15 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM857BS	文件：194.59 Kbytes Page：5 Pages	45VMATCHEDPAIRPNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT363 Features •BVCEO>-45V •IC=-100mAHighCollectorCurrent •PairofPNPTransistorsThatAreIntrinsicallyMatched(Note1) •10MatchingonCurrentGain(hFE) •2mVMatchingonBase-EmitterVoltage(VBE) •FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
BC857-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.1A 45V LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC857-T供应商更新时间2025-7-21 18:34:00

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