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BC856S数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列规格书PDF

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厂商型号

BC856S

参数属性

BC856S 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-阵列;产品描述:TRANSISTOR

功能描述

General Purpose Transistor

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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BC856S规格书详情

描述 Description

NPN Silicon AF Transistor Arrays

特性 Features

· For AF input stages and driver applications
· High current gain
· Low collector-emitter saturation voltage
· Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package
· BC856S / U, BC857S: For orientation in reel see package information below
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q101

应用 Application

· For AF input stages and driver applications

技术参数

  • 制造商编号

    :BC856S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :PNP (Dual)

  • VCEO max

    :65.0V

  • Ptot max

    :250.0mW

  • hFE min max

    :200.0 630.0

  • IC max

    :2.0mA

  • IC 

    :100.0mA 

  • VCE max

    :5.0V

  • VCE 

    :5.0V 

  • VCBO max

    :80.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :200.0mA

  • ICBO max

    :15.0nA

  • fT 

    :250.0MHz 

  • VCE(sat) max

    :0.65V

  • Mounting 

    :SMT

  • Package 

    :P-SOT363-6-1

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