BC856BWT1中文资料General Purpose Transistors PNP Silicon数据手册恩XP规格书
BC856BWT1规格书详情
描述 Description
General Purpose Transistors PNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications.
技术参数
- 产品编号：
BC856BWT1G
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
- 描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
SOT323 |
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SOT323 |
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LRC |
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SOT-323 |
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ON/安森美 |
24+ |
SC-70-3 |
30000 |
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ON/安森美 |
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