BC856BMTF中文资料TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
BC856BMTF |
| 参数属性 | BC856BMTF 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 |
| 功能描述 | TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 17:21:00 |
| 人工找货 | BC856BMTF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BC856BMTF规格书详情
简介
BC856BMTF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BC856BMTF晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BC856BMTF
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：65V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：15nA（ICBO）
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：200 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大值
：310mW
- 频率 - 跃迁
：150MHz
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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