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BC856BWT1数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BC856BWT1

参数属性

BC856BWT1 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

功能描述

General Purpose Transistors

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

LRC Leshan Radio Company

中文名称

乐山无线电 乐山无线电股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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BC856BWT1规格书详情

描述 Description

General Purpose Transistors
PNP SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications.

技术参数

  • 产品编号:

    BC856BWT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    220 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

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