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BC856B	文件：44.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features ●IdeallySuitedforAutomaticInsertion ●ComplementaryNPNTypes:BC846–BC848 ●ForSwitchingandAFAmplifierApplications ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforH	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856B	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingandAmplifierApplications Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC859,BC860 •ComplementtoBC846...BC850	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC856B	文件：363.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BC856B	文件：271.92 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC846,BC847, BC849,BC850(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC856B	文件：47.94 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaSOT23plasticpackage. NPNcomplements:BC846andBC847. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856B	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC856B	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846-BC848) •ForSwitchingandAFAmplifierApplications •LeadFree/RoHSCompliant(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC856B	文件：202.38 Kbytes Page：4 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA). ●Lowvoltage.. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC856B	文件：88.23 Kbytes Page：3 Pages	0.2WattsPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features ◇Epitaxialplanardieconstruction ◇Surfacedevicetypemounting ◇Moisturesensitivitylevel1 ◇MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate ◇PbfreeversionandRoHScompliant ◇Greencompound(Halogenfree)withsuffixGon packingcodeandprefixGondatecode	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856B	文件：97.57 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE65/45/30VoltsPOWER225mW FEATURES •GeneralPurposeAmplifierApplications •NPNEpitaxialSilicon,PlanarDesign •CollectorCurrentIC=-100mA •Complimentary(PNP)Devices:BC846/BC847/BC848/BC849Series •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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