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BC856A	文件：95.23 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon General Purpose Transistor PNP Silicon P/b Lead(Pb)-Free 文件：95.23 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
BC856A	文件：164.69 Kbytes Page：10 Pages	丝印：3A-；Package：SOT-23；PNP general purpose transistors General description PNP general-purpose transistors in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features and benefits • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V) • AEC-Q101 qualified Applications • General-purpose switching and amplification 文件：164.69 Kbytes 页数：10 Pages	恩XP	恩XP
BC856A	文件：202.38 Kbytes Page：4 Pages	NPN general purpose Transistor FEATURES ● Low current.(max.100mA). ● Low voltage.. APPLICATIONS ● General purpose switching and amplification. 文件：202.38 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
BC856A	文件：1.33965 Mbytes Page：5 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES • Ideally suited for automatic insertion • For Switching and AF Amplifier Applications 文件：1.33965 Mbytes 页数：5 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
BC856A	文件：69.08 Kbytes Page：3 Pages	PNP Transistor Features ● Ideally suited for automatic insertion ● For Switching and AF Amplifier Applications 文件：69.08 Kbytes 页数：3 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC856A	文件：41.79 Kbytes Page：2 Pages	PNP General Purpose Transistor Features ● Ideally suited for automatic insertion ● For Switching and AF Amplifier Applications 文件：41.79 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
BC856A	文件：679.55 Kbytes Page：4 Pages	丝印：3A；Package：SOT-23；Low current.(max.100mA) FEATURES ● Low current.(max.100mA) ● Low voltage.(max.65v) APPLICATIONS ● General purpose switching and amplification. 文件：679.55 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC856A	文件：476.22 Kbytes Page：4 Pages	丝印：3A；Package：SOT-23；PNP general purpose Transistor FEATURES ● Low current.(max.100mA) ● Low voltage.(max.65v) APPLICATIONS ● General purpose switching and amplification. 文件：476.22 Kbytes 页数：4 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC856A	文件：97.57 Kbytes Page：4 Pages	PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS VOLTAGE 65/45/30 Volts POWER 225 mW FEATURES • General Purpose Amplifier Applications • NPN Epitaxial Silicon, Planar Design • Collector Current IC = -100mA • Complimentary (PNP) Devices : BC846/BC847/BC848/BC849 Series • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives 文件：97.57 Kbytes 页数：4 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
BC856A	文件：263.98 Kbytes Page：3 Pages	BC856A FEATURES ● General Purpose Transistor PNP Type ● Collect current : - 0.1A ● Operating Temp. : -55°C ~ +150 °C ● RoHS compliant product 文件：263.98 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS

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技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
0.1 A
ICM (A)：
0.2 A
PD (W)：
0.3 W
hFE (min)：
125 Min
hFE(@ IC)：
0.002 A
hFE(@ IC2)：
N/A A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.01/0.5
VCE (SAT)(Max.2)：
650 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.1/5
fT (MHz)：
200 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT23

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更多BC856A供应商更新时间2025-10-10 16:10:00

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