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INA849	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：2.07758 Mbytes Page：28 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) •Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypins –Outputcommon-modecontrol •Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：3.38238 Mbytes Page：42 Pages	PGA855Low-Noise,Wide-Bandwidth,FullyDifferentialOutputProgrammable-GainInstrumentationAmplifier 1Features •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:1ppm/°C(max)atG=1V/V •Fullydifferentialoutputs –Independentoutputpower-supplypinstoallow forADCinputoverdriveprotection –Outputcommon-modecontrol •Faster	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849	文件：1.6695 Mbytes Page：24 Pages	PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Differentialtosingle-endedconversion •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:2ppm/°C(max) •Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μs –Settlingtime: 500nsto0.01	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA849	文件：3.93725 Mbytes Page：40 Pages	PGA849Low-Noise,Wide-Bandwidth,PrecisionProgrammableGainInstrumentationAmplifier 1Features •Differentialtosingle-endedconversion •Eightpin-programmablebinarygains –G(V/V)=⅛,¼,½,1,2,4,8,and16 •Lowgainerrordrift:±2ppm/°C(maximum) •Fastersignalprocessing: –Widebandwidth:10MHzatallgains –Highslewrate:35V/μsatG≥½V/V –Settlingti	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.21241 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DGKR	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DGKT	文件：3.28236 Mbytes Page：36 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA849DR	文件：1.94382 Mbytes Page：26 Pages	INA849Ultra-Low-Noise(1nV/?숰z),High-Bandwidth,InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

产品属性

产品编号：
BC849C-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23

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