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BC849BW	文件：272.32 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC849BW	文件：334.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNTransistor FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC849BW	文件：130.039 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC849BW	文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC849BW	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC849BW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC849C	文件：277.22 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon MoistureSensitivityLevel:1 ESDRating-HumanBodyModel:>4000V -MachineModel:>400V	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BC849C	文件：194.55 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
BC849C	文件：273.96 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgain) NPNSiliconAFTransistors Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856,BC857,BC859,BC860(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS

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产品属性

产品编号：
BC849BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC849BMTF供应商更新时间2025-5-17 10:50:00

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