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BC849C	文件：40.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●PNPcomplements:BC859andBC860.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC849C	文件：504.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC849C	文件：183.85 Kbytes Page：19 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC849C	文件：226.31 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC849C	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC849C	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC849C	文件：121.72 Kbytes Page：9 Pages	SMDNPNTransistor GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V,MachineModel:>400V •Epitaxialplanachipconstruction •Idealformediumpowerapplicationandswitching •Ascomplementarytype,thePNPtransistor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BC849C	文件：857.31 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC849C	文件：546.55 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC849C	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ♦Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ♦Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ	GE GE Industrial Company	GE

产品属性

产品编号：
BC849BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

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更多BC849BMTF供应商更新时间2025-7-21 10:50:00

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