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BC849B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

BC849B

厂商型号	BC849B
参数属性	BC849B 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB
功能描述	NPN Silicon AF Transistors (For AF input stages and driver applications High current gain)
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小	273.96 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	Siemens Semiconductor Group
企业简称	SIEMENS【西门子】
中文名称	德国西门子股份公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-28 20:00:00
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BC849B规格书详情

NPN Silicon AF Transistors

Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30 Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 856, BC 857, BC 859, BC 860 (PNP)

产品属性

产品编号：
BC849B,235
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
TO-236AB
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB

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