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BC848C-G	文件：156.63 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Transistor Features -PowerdissipationPCM:0.20W(@TA=25°C) -CollectorcurrentICM:0.1A -Collector-basevoltageVCBO:BC846=80VBC847=50VBC848=30V -Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:TJ,TSTG=-65to+150°C	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848CL	文件：888.85 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORSNPNSILICON DESCRIPTION The BC846AL/BLA847848AL/CLare availableinSOT23package. FEATURES ⚫Highcurrentgain ⚫ExcellenthFElinearity ⚫Lownoisebetween30Hzand15kHz ⚫ForAFinputstagesanddriverapplications ⚫AvailableinSOT23package APPLICATIONS ⚫Ge	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC848CMTF	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC848CPDW	文件：987.1 Kbytes Page：11 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPN/PNPDUAL(COMPLIMENTARY) DESCRIPTION Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.TheBC846BPDW~BC848CPDWisavailableinSC–88	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
BC848CQ	文件：253.45 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC848CRF	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848CRFG	文件：218.43 Kbytes Page：3 Pages	250mW,NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848CS	文件：1.31146 Mbytes Page：7 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC848CT	文件：229.15 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes: BC856T,BC857T, BC858T,BC859T,BC860T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC848CW	文件：198.76 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

详细参数

型号：
BC848C-G
功能描述：
两极晶体管 - BJT SM SIGNAL TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BC848C-GS08	VISHAY	24+	SOT23-3	60000		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	BC848C-GS08	VISHAY/威世	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	BC848C-GS08	VISHAY/威世	24+	NA/	6000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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深圳诚思涵科技有限公司	BC848C-GS08	PHILIPS	24+	DFN1006-3	15986	公司现货库存,支持实单	询价
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更多BC848C-G供应商更新时间2025-5-5 16:30:00

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